В этой рубрике будут публиковаться изобретения, защищенные авторскими свидетельствами СССР, следовательно, имеющие приоритеты 15 - 20-летней давности. Тем не менее многие из них могут представить интерес и в настоящее время. В номере предлагается ряд изобретений в области полупроводниковых технологий, лежащих несколько в стороне от основного направления развития приборостроения на кремниевой основе. Однако они могут представлять интерес при разработке приборов на базе полупроводников, выращивание монокристаллов которых затруднительно (особенно крупных). Между тем именно такие полупроводниковые приборы перспективны, например, в ИК области. (Примечание редакции)

В изобретении в отличие от мишени с мозаикой p-n переходов (кремникон) используется мишень с мозаикой МДП-структур с сопутствующими ей режимами накопления и инжекции в подложку зарядов при поглощении э/м квантов. Режим инжекции и считывания реализуется сканирующим пучком быстрых электронов в режиме вторичной эмиссии электронов из металлических электродов МДП-структуры с малой работой выхода.

"Мозаичная мишень передающей телевизионной трубки".

Авторское свидетельство СССР № 1036211, 1983, автор Попов Ю.Г.

В изобретении, как и в изобретении АС № 762630, используется мозаика структур МДП и режимы медленных и быстрых электронов, но в отличие от него сигнал формируется за счет инжекции "дырок" в специальные инверсионные p-каналы, создаваемые пучком быстрых электронов на другой стороне мишени за счет перезарядки металлических электродов, доступных считывающему пучку. (См. рис. 1-2).

Устройстводля получения тонких эпитаксиальных слоев из жидкой фазы не сдвиговым методом, обеспечивающее высокое качество поверхности слоя. Конструкция (рис.3) сочетает тонкий слой раствора-расплава, обеспечивающего получение тонких (доли микрон) эпитаксиальных слоев, с возможностью удаления раствора-расплава путем раскрытия ячеек в вертикальном положении (при подъеме кварцевых ячеек из ванны).

Применимо преиму-щественно для низкотемпературных процессов полупроводников группы А3В5.

Предлагаемый способ позволяет повысить однородность электрофизических параметров монокристаллов полупроводников, выращиваемых по методу Чохральского, за счет ограничения объема расплава на границе фаз, обеспечивающим преобладание диффузионного перераспределения компонентов над конвекционным. (См. рис. 4).

Полупроводниковый матричный преобразователь изображения, состоящий из ХУ-мозаики нелинейных элементов как гибридного (т.е. с разверткой электронным лучом), так и безвакуумного типа (с разверткой с помощью п/п схемных коммутаторов на периферии матрицы), в котором тепловое изображение поглощается на элементах мозаики, изменяя их температуру, а принцип действия сводится к измерению этих изменений температуры по тепловому шуму нелинейных элементов матричного преобразователя.